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Herstellerteilenummer | AS4C64M16D3LA-12BCN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C64M16D3LA-12BCN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C64M16D3LA-12BCN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3L |
Speichergröße | 1Gb (64M x 16) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 96-VFBGA |
Supplier Device Package | 96-FBGA (8x13) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M16D3LA-12BCN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C64M16D3LA-12BCN-FT |
AT49F002NT-90PC
Microchip Technology
AT49F002NT-90PI
Microchip Technology
AT49F002T-12PC
Microchip Technology
AT49F002T-12PI
Microchip Technology
AT49F002T-70PC
Microchip Technology
AT49F002T-70PI
Microchip Technology
AT49F002T-90PC
Microchip Technology
AT49F002T-90PI
Microchip Technology
AT49F040-12PC
Microchip Technology
AT49F040-12PI
Microchip Technology
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel