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Herstellerteilenummer | AS4C64M8D2-25BINTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C64M8D2-25BINTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C64M8D2-25BINTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
Taktfrequenz | 400MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 400ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 60-TFBGA |
Supplier Device Package | 60-FBGA (8x10) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M8D2-25BINTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C64M8D2-25BINTR-FT |
W631GG8KB-11 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB-12
Winbond Electronics
W631GG8KB-12 TR
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W631GG8KB-15
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W631GG8KB-15 TR
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W631GG8KB12I
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W631GG8KB12I TR
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W631GG8KB15I
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W631GG8KB15I TR
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W631GU8KB-12
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XC2V250-6FG256C
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XC6SLX150T-2FGG676I
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A42MX24-FPQG208
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EP1K10TI100-2
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XC7K355T-1FFG901I
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XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
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LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel