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Herstellerteilenummer | AS4C64M8D2-25BIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C64M8D2-25BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C64M8D2-25BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
Taktfrequenz | 400MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 400ps |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 60-TFBGA |
Supplier Device Package | 60-FBGA (8x10) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M8D2-25BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C64M8D2-25BIN-FT |
AS4C256M8D3L-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3L-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3L-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3L-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3L-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BCN
Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BIN
Alliance Memory, Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel