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Herstellerteilenummer | AS4C8M32MD2A-25BCN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C8M32MD2A-25BCN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C8M32MD2A-25BCN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Speichergröße | 256Mb (8M x 32) |
Taktfrequenz | 400MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -20°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 134-VFBGA |
Supplier Device Package | 134-FBGA (10x11.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C8M32MD2A-25BCN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C8M32MD2A-25BCN-FT |
AS7C1026B-20JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1026B-20JCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1026C-15JIN
Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-12JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026B-12JINTR
Alliance Memory, Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel