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Herstellerteilenummer | AS6C1016-55BINTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS6C1016-55BINTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS6C1016-55BINTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 1Mb (64K x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 55ns |
Zugriffszeit | 55ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-TFBGA |
Supplier Device Package | 48-TFBGA (6x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C1016-55BINTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS6C1016-55BINTR-FT |
AT26DF081A-MU
Microchip Technology
AT26DF081A-SU
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AT26DF161-SU
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AT26DF161A-SU
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AT26DF321-SU
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AT45D011-SC
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AT45D011-SI
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AT45DB011-SC
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AT45DB011-SI
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AT45DB011B-SC
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XA6SLX75-2FGG484Q
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A3PE3000-PQ208
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A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation