Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / AS6C1016-55BIN
Herstellerteilenummer | AS6C1016-55BIN |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-AS6C1016-55BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS6C1016-55BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 1Mb (64K x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 55ns |
Zugriffszeit | 55ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-TFBGA |
Supplier Device Package | 48-TFBGA (6x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C1016-55BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS6C1016-55BIN-FT |
AT25HP256W-10SI-2.7
Microchip Technology
AT26DF081A-MU
Microchip Technology
AT26DF081A-SU
Microchip Technology
AT26DF161-SU
Microchip Technology
AT26DF161A-SU
Microchip Technology
AT26DF321-SU
Microchip Technology
AT45D011-SC
Microchip Technology
AT45D011-SI
Microchip Technology
AT45DB011-SC
Microchip Technology
AT45DB011-SI
Microchip Technology
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel