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Herstellerteilenummer | AS6C2008-55BINTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS6C2008-55BINTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS6C2008-55BINTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 2Mb (256K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 55ns |
Zugriffszeit | 55ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 36-TFBGA |
Supplier Device Package | 36-TFBGA (6x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2008-55BINTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS6C2008-55BINTR-FT |
7142SA20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel