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Herstellerteilenummer | AS6C2016-55BINTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS6C2016-55BINTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS6C2016-55BINTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 2Mb (128K x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 55ns |
Zugriffszeit | 55ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-TFBGA |
Supplier Device Package | 48-TFBGA (6x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2016-55BINTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS6C2016-55BINTR-FT |
AT45DB011B-SI
Microchip Technology
AT45DB011B-SU
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AT45DB021B-SC
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AT45DB021B-SI
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AT45DB021B-SU
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AT45DB021D-SH-B
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AT45DB021D-SH-T
Microchip Technology
AT45DB041B-SC
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AT45DB041B-SC-2.5
Microchip Technology
AT45DB041B-SI
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XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
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M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
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EP2AGZ350FH29I4N
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5SGSED6N1F45I2N
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XC5VFX130T-1FFG1738I
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XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
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5AGZME1H3F35C4N
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