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Herstellerteilenummer | AS6C3216-55BIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS6C3216-55BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS6C3216-55BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 32Mb (2M x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 55ns |
Zugriffszeit | 55ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-LFBGA |
Supplier Device Package | 48-TFBGA (8x10) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C3216-55BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS6C3216-55BIN-FT |
AT45DB011B-SU
Microchip Technology
AT45DB021B-SC
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AT45DB021B-SI
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AT45DB021B-SU
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AT45DB021D-SH-B
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AT45DB021D-SH-T
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AT45DB041B-SC
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AT45DB041B-SC-2.5
Microchip Technology
AT45DB041B-SI
Microchip Technology
AT45DB041B-SI-2.5
Microchip Technology
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
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ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
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A42MX24-2PL84I
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M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
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EP4SGX180HF35I4N
Intel