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Herstellerteilenummer | AS6C4016A-55BINTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS6C4016A-55BINTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS6C4016A-55BINTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 4Mb (256K x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 55ns |
Zugriffszeit | 55ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-LFBGA |
Supplier Device Package | 48-TFBGA (6x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C4016A-55BINTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS6C4016A-55BINTR-FT |
MT41J128M8JP-107:G
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-125:G
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-125:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E AIT:G
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E AIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E IT:G
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E:G
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 AAT:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M8DA-107 AIT:J TR
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel