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Herstellerteilenummer | AS6C6416-55BIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS6C6416-55BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS6C6416-55BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 64Mb (4M x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 55ns |
Zugriffszeit | 55ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-LFBGA |
Supplier Device Package | 48-TFBGA (8x10) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C6416-55BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS6C6416-55BIN-FT |
AT25256W-10SI-1.8
Microchip Technology
AT25256W-10SI-2.7
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AT25DF161-SH-B
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AT25DQ161-SH-T
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AT25HP256W-10SC-2.7
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AT25HP256W-10SI
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AT25HP256W-10SI-1.8
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AT25HP256W-10SI-2.7
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AT26DF081A-MU
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AT26DF081A-SU
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XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel