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Herstellerteilenummer | AS6C8016-55BIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS6C8016-55BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS6C8016-55BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 8Mb (512K x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 55ns |
Zugriffszeit | 55ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-LFBGA |
Supplier Device Package | 48-TFBGA (6x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C8016-55BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS6C8016-55BIN-FT |
AT25256AW-10SI-1.8-T
Microchip Technology
AT25256AW-10SI-2.7
Microchip Technology
AT25256AW-10SI-2.7-T
Microchip Technology
AT25256AW-10SU-1.8
Microchip Technology
AT25256AW-10SU-2.7
Microchip Technology
AT25256W-10SC
Microchip Technology
AT25256W-10SC-1.8
Microchip Technology
AT25256W-10SC-2.7
Microchip Technology
AT25256W-10SI
Microchip Technology
AT25256W-10SI-1.8
Microchip Technology
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel