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Herstellerteilenummer | AS6C8016-55TIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS6C8016-55TIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS6C8016-55TIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 8Mb (512K x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 55ns |
Zugriffszeit | 55ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Supplier Device Package | 48-TSOP I |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C8016-55TIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS6C8016-55TIN-FT |
AS4C8M32SA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C325632-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32SA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32SA-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C351232-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C351232-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel