Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / AT-42010
Herstellerteilenummer | AT-42010 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AT-42010 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AT-42010 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 8GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz |
Gewinnen | 10dB ~ 13.5dB |
Leistung max | 600mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 35mA, 8V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 4-SMD (100 mil) |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT-42010 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AT-42010-FT |
23A008
Microsemi Corporation
2731-200P
Microsemi Corporation
2A5
Microsemi Corporation
2N2857UB
Microsemi Corporation
2N4957
Microsemi Corporation
2N5031
Microsemi Corporation
2SC3356-T1B-R24-A
CEL
2SC3356-T1B-R25-A
CEL
2SC3357-T1-RF-A
CEL
2SC4227-T1-R34-A
CEL
AT6005A-4AI
Microchip Technology
A1225A-PQG100C
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-PLG68M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
EP4SGX290KF43C3N
Intel
EP3C10M164I7N
Intel
A54SX32A-1BG329
Microsemi Corporation
EP3C80F780C7N
Intel