Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / ATP218-TL-H
Herstellerteilenummer | ATP218-TL-H |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ATP218-TL-H |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
ATP218-TL-H Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 50A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 60W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | ATPAK |
Paket / fall | ATPAK (2 leads+tab) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ATP218-TL-H Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ATP218-TL-H-FT |
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Xilinx Inc.
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APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
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EPF10K50VBC356-2N
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