Zuhause / Produkte / Sensoren, Transducer / Magnetsensoren - Schalter (Halbleiter) / ATS605LSGTN-R-H-T
Herstellerteilenummer | ATS605LSGTN-R-H-T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ATS605LSGTN-R-H-T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
ATS605LSGTN-R-H-T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Funktion | Special Purpose |
Technologie | Hall Effect |
Polarisation | - |
Erfassungsbereich | - |
Testbedingung | - |
Spannungsversorgung | 4V ~ 24V |
Strom - Versorgung (max.) | 13mA |
Strom - Ausgang (max.) | 25mA |
Ausgabetyp | Open Drain |
Eigenschaften | Temperature Compensated |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TA) |
Paket / fall | 4-SSIP |
Supplier Device Package | 4-SIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ATS605LSGTN-R-H-T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ATS605LSGTN-R-H-T-FT |
ATS137-PG-B-B
Diodes Incorporated
ATS137-PL-B-A
Diodes Incorporated
ATS137-PL-B-B
Diodes Incorporated
ATS177-PL-B-A
Diodes Incorporated
ATS177-PL-B-B
Diodes Incorporated
AH3563Q-P-B
Diodes Incorporated
AH3564Q-P-B
Diodes Incorporated
AH3562Q-P-B
Diodes Incorporated
AH3582-P-B
Diodes Incorporated
AH3574-P-B
Diodes Incorporated
EPF6016ATC144-1
Intel
XC2VP2-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQ100I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXEA7K3F35C2
Intel
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG144
Microsemi Corporation