Zuhause / Produkte / Sensoren, Transducer / Magnetsensoren - Schalter (Halbleiter) / ATS605LSGTN-R-H-T
Herstellerteilenummer | ATS605LSGTN-R-H-T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ATS605LSGTN-R-H-T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
ATS605LSGTN-R-H-T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Funktion | Special Purpose |
Technologie | Hall Effect |
Polarisation | - |
Erfassungsbereich | - |
Testbedingung | - |
Spannungsversorgung | 4V ~ 24V |
Strom - Versorgung (max.) | 13mA |
Strom - Ausgang (max.) | 25mA |
Ausgabetyp | Open Drain |
Eigenschaften | Temperature Compensated |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TA) |
Paket / fall | 4-SSIP |
Supplier Device Package | 4-SIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ATS605LSGTN-R-H-T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ATS605LSGTN-R-H-T-FT |
ATS137-PG-B-B
Diodes Incorporated
ATS137-PL-B-A
Diodes Incorporated
ATS137-PL-B-B
Diodes Incorporated
ATS177-PL-B-A
Diodes Incorporated
ATS177-PL-B-B
Diodes Incorporated
AH3563Q-P-B
Diodes Incorporated
AH3564Q-P-B
Diodes Incorporated
AH3562Q-P-B
Diodes Incorporated
AH3582-P-B
Diodes Incorporated
AH3574-P-B
Diodes Incorporated
XC6SLX16-L1FT256C
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
MPF300TL-FCVG484E
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE260H780C2N
Intel
5SGXMB6R3F43I3N
Intel
LCMXO640C-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34I2SG
Intel
EP2AGX45DF29I3
Intel
EP3C40F780I7N
Intel