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AUIRF1018E Image

Infineon Technologies AUIRF1018E

MFG-Teilenummer
AUIRF1018E
verfügbare Anzahl
52650 Stücke
Referenzpreis
USD 1.015312
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
AUIRF1018E.pdf
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AUIRF1018E Spezifikationen

Herstellerteilenummer AUIRF1018E
Zukünftige Teilenummer FT-AUIRF1018E
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
AUIRF1018E Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 79A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
Vgs (Max) -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2290pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRF1018E Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer AUIRF1018E-FT

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