Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / AUIRF1324WL
Herstellerteilenummer | AUIRF1324WL |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AUIRF1324WL |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
AUIRF1324WL Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 24V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 240A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 195A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7630pF @ 19V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-262-3 Wide |
Paket / fall | TO-262-3 Wide Leads |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF1324WL Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AUIRF1324WL-FT |
IRF6626TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6626TRPBF
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XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
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5CGXFC9C6F23I7N
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