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Herstellerteilenummer | AUIRFL024N |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AUIRFL024N |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
AUIRFL024N Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFL024N Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AUIRFL024N-FT |
IRFU3518-701PBF
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XA3S500E-4FTG256I
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XA6SLX25T-3FGG484Q
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A54SX32A-FGG484
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APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
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AT40K20-2AQC
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EP2S30F672C4
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10M40DCF672C7G
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A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel