Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / B5817W-TP
Herstellerteilenummer | B5817W-TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-B5817W-TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
B5817W-TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 20V |
Kapazität @ Vr, F | 120pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B5817W-TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | B5817W-TP-FT |
VS-SD1100C22L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C28J
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C30C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C30L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C32J
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD410C08C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD500N36PTC
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD500R36PTC
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD600N04PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD600N08PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel