Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / B5817X-TP
Herstellerteilenummer | B5817X-TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-B5817X-TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
B5817X-TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 20V |
Kapazität @ Vr, F | 120pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-79, SOD-523 |
Supplier Device Package | SOD-523 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B5817X-TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | B5817X-TP-FT |
EGF1BHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1C-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1C-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1CHE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1CHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1D-2HE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1D-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1DHE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1DHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1T-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel