Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - SCRs - Module / B612F-2T
Herstellerteilenummer | B612F-2T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-B612F-2T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
B612F-2T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Struktur | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) |
Anzahl der SCRs, Dioden | 2 SCRs, 2 Diodes |
Spannung - Aus-Zustand | 600V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | - |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | - |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 3V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 80mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 600A @ 60Hz |
Strom - Halten (Ih) (Max) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B612F-2T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | B612F-2T-FT |
TZ740N22KOFTIMHPSA1
Infineon Technologies
TZ800N16KOFTIMHPSA1
Infineon Technologies
TZ800N18KOFTIMHPSA1
Infineon Technologies
TD320N18SOFHPSA1
Infineon Technologies
TD280N16SOFHPSA1
Infineon Technologies
TD280N18SOFHPSA1
Infineon Technologies
TT280N18SOFHPSA1
Infineon Technologies
TT320N18SOFHPSA1
Infineon Technologies
TD140N16SOFHPSA1
Infineon Technologies
TD160N16SOFHPSA1
Infineon Technologies
EP1C3T100I7N
Intel
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA9N3F45C4N
Intel
EP1AGX90EF1152C6N
Intel
EP3SL340H1152C4
Intel
XC5VLX30-1FFG676CES
Xilinx Inc.
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG100
Microsemi Corporation
10AX090N4F40I3SG
Intel
5AGXBB5D4F35C4N
Intel