Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BA157GHB0G
Herstellerteilenummer | BA157GHB0G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BA157GHB0G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BA157GHB0G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA157GHB0G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BA157GHB0G-FT |
SR805HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR806 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR806HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR806HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR809 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR809 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR809HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR809HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR810 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR810HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel