Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BA479S-TR
Herstellerteilenummer | BA479S-TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BA479S-TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BA479S-TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | PIN - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 30V |
Strom - max | 50mA |
Kapazität @ Vr, F | 0.5pF @ 0V, 100MHz |
Widerstand @ If, F | 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
Paket / fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
Supplier Device Package | DO-35 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA479S-TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BA479S-TR-FT |
HSMS-2822-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2822-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2823-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2823-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2823-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2824-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2824-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2824-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2850-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR1
Broadcom Limited
LFXP3E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL010T-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40I4N
Intel
5SGXMA7K3F35C2LN
Intel
XC4020XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FB900I
Xilinx Inc.
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
EP2AGX125EF29C6N
Intel