Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BA682-GS18
Herstellerteilenummer | BA682-GS18 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BA682-GS18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BA682-GS18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | PIN - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 35V |
Strom - max | 100mA |
Kapazität @ Vr, F | 1.25pF @ 3V, 100MHz |
Widerstand @ If, F | 500 mOhm @ 10mA, 200MHz |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Supplier Device Package | SOD-80 MiniMELF |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA682-GS18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BA682-GS18-FT |
HSMS-280B-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280B-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2810-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2810-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2810-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2810-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2812-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2812-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2812-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2812-TR2G
Broadcom Limited
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF256A7G
Intel
10CL010YM164I7G
Intel
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35I3
Intel
EP1S30F780C6
Intel