Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BA783S-E3-08
Herstellerteilenummer | BA783S-E3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BA783S-E3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BA783S-E3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | PIN - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 35V |
Strom - max | 100mA |
Kapazität @ Vr, F | 1.2pF @ 3V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
Paket / fall | SC-76, SOD-323 |
Supplier Device Package | SOD-323 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA783S-E3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BA783S-E3-08-FT |
HSMS-2860-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2860-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2860-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2862-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2862-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2862-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2862-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2863-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2863-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2863-TR2G
Broadcom Limited
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025S-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FG256M
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX360NF45I4
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX260EF29C6N
Intel
10CX220YF780E6G
Intel