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Herstellerteilenummer | BAQ35-GS18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAQ35-GS18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAQ35-GS18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 125V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 200mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1nA @ 60V |
Kapazität @ Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Supplier Device Package | SOD-80 MiniMELF |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAQ35-GS18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAQ35-GS18-FT |
40EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel