Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BAQ35-GS18
Herstellerteilenummer | BAQ35-GS18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAQ35-GS18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAQ35-GS18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 125V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 200mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1nA @ 60V |
Kapazität @ Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Supplier Device Package | SOD-80 MiniMELF |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAQ35-GS18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAQ35-GS18-FT |
40EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel