Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BAR6302LE6327XTMA1
Herstellerteilenummer | BAR6302LE6327XTMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAR6302LE6327XTMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAR6302LE6327XTMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | PIN - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 50V |
Strom - max | 100mA |
Kapazität @ Vr, F | 0.3pF @ 5V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 1 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Verlustleistung (max.) | 250mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | SOD-882 |
Supplier Device Package | PG-TSLP-2 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR6302LE6327XTMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAR6302LE6327XTMA1-FT |
BAP51-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,135
NXP USA Inc.
BAP64-06W,115
NXP USA Inc.
BAP65-05W,115
NXP USA Inc.
BAP50-04W,115
NXP USA Inc.
BAP63-05W,115
NXP USA Inc.
BAT18,215
NXP USA Inc.
BAP64-04,215
NXP USA Inc.
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-1
Intel
XC6VLX130T-L1FF784I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC7G3F31I3N
Intel
EP2AGX65CU17C6NES
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel
EP4CE40F19A7N
Intel