Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BAR 65-02L E6327
Herstellerteilenummer | BAR 65-02L E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAR 65-02L E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAR 65-02L E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | PIN - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 30V |
Strom - max | 100mA |
Kapazität @ Vr, F | 0.8pF @ 3V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 900 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Verlustleistung (max.) | 250mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | SOD-882 |
Supplier Device Package | PG-TSLP-2 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR 65-02L E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAR 65-02L E6327-FT |
BAP50-05W,115
NXP USA Inc.
BAP51-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,135
NXP USA Inc.
BAP64-06W,115
NXP USA Inc.
BAP65-05W,115
NXP USA Inc.
BAP50-04W,115
NXP USA Inc.
BAP63-05W,115
NXP USA Inc.
BAT18,215
NXP USA Inc.
M1AFS1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE5U-45F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
10CL080ZU484I8G
Intel
EPF10K200SFC484-2
Intel
XC7K325T-2FFG900C
Xilinx Inc.
A42MX24-2PL84
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25FF1020C7N
Intel