Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BAR6502VH6327XTSA1
Herstellerteilenummer | BAR6502VH6327XTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAR6502VH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAR6502VH6327XTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | PIN - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 30V |
Strom - max | 100mA |
Kapazität @ Vr, F | 0.8pF @ 3V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 900 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Verlustleistung (max.) | 250mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | SC-79, SOD-523 |
Supplier Device Package | PG-SC79-2 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR6502VH6327XTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAR6502VH6327XTSA1-FT |
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
BAP142LX,315
NXP USA Inc.
BAP65LX,315
NXP USA Inc.
BAP63LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX/Z,315
NXP USA Inc.
BAP51-02-TP
Micro Commercial Co
BAP50-03-TP
Micro Commercial Co
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025S-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FG256M
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX360NF45I4
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX260EF29C6N
Intel
10CX220YF780E6G
Intel