Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BAR8802LRHE6327XTSA1
Herstellerteilenummer | BAR8802LRHE6327XTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAR8802LRHE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAR8802LRHE6327XTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | PIN - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 80V |
Strom - max | 100mA |
Kapazität @ Vr, F | 0.4pF @ 1V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 600 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Verlustleistung (max.) | 250mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | SOD-882 |
Supplier Device Package | PG-TSLP-2 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR8802LRHE6327XTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAR8802LRHE6327XTSA1-FT |
BAP64-06W,115
NXP USA Inc.
BAP65-05W,115
NXP USA Inc.
BAP50-04W,115
NXP USA Inc.
BAP63-05W,115
NXP USA Inc.
BAT18,215
NXP USA Inc.
BAP64-04,215
NXP USA Inc.
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
A54SX08A-2PQ208
Microsemi Corporation
10CL055YU484C6G
Intel
10M04DAF256A7G
Intel
EP4SGX180KF40I3N
Intel
XC2VP20-6FF1152I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F29E1SG
Intel
EPF10K100ARI240-3
Intel
EP20K200RC208-3
Intel