Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BAR8802VH6327XTSA1
Herstellerteilenummer | BAR8802VH6327XTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAR8802VH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAR8802VH6327XTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Diodentyp | PIN - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 80V |
Strom - max | 100mA |
Kapazität @ Vr, F | 0.4pF @ 1V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 600 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Verlustleistung (max.) | 250mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | SC-79, SOD-523 |
Supplier Device Package | PG-SC79-2 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR8802VH6327XTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAR8802VH6327XTSA1-FT |
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
BAP142LX,315
NXP USA Inc.
BAP65LX,315
NXP USA Inc.
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF256A7G
Intel
10CL010YM164I7G
Intel
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35I3
Intel
EP1S30F780C6
Intel