Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BAR 90-098L4 E6327
Herstellerteilenummer | BAR 90-098L4 E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAR 90-098L4 E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAR 90-098L4 E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodentyp | PIN - 2 Independent |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 80V |
Strom - max | 100mA |
Kapazität @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 800 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Verlustleistung (max.) | 250mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | 4-XFDFN |
Supplier Device Package | PG-TSLP-4-7 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR 90-098L4 E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAR 90-098L4 E6327-FT |
BAP50-03,135
NXP USA Inc.
BAP70-03,115
NXP USA Inc.
BAP50-03,115
NXP USA Inc.
BA591,135
NXP USA Inc.
BAP64-03,115
NXP USA Inc.
BAP65-03,115
NXP USA Inc.
BAP1321-03,115
NXP USA Inc.
BAP63-03,115
NXP USA Inc.
BAP64-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-06W,115
NXP USA Inc.
EP20K30ETC144-2N
Intel
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C8N
Intel
EP4SE360H29I4N
Intel
5SGXEA7H3F35C4N
Intel
LFXP2-8E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation