Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BAR 90-099LRH E6327
Herstellerteilenummer | BAR 90-099LRH E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAR 90-099LRH E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAR 90-099LRH E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | PIN - 2 Independent |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 80V |
Strom - max | 100mA |
Kapazität @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 800 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Verlustleistung (max.) | 250mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | 4-XFDFN |
Supplier Device Package | PG-TSLP-4-7 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR 90-099LRH E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAR 90-099LRH E6327-FT |
BAP70-03,115
NXP USA Inc.
BAP50-03,115
NXP USA Inc.
BA591,135
NXP USA Inc.
BAP64-03,115
NXP USA Inc.
BAP65-03,115
NXP USA Inc.
BAP1321-03,115
NXP USA Inc.
BAP63-03,115
NXP USA Inc.
BAP64-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-06W,115
NXP USA Inc.
BAP70-04W,115
NXP USA Inc.
XC2S200-6FG456C
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40U484C8
Intel
5SGXMA7K3F40C4N
Intel
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
M1A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation