Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BAR9002ELE6327XTMA1
Herstellerteilenummer | BAR9002ELE6327XTMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAR9002ELE6327XTMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAR9002ELE6327XTMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | PIN - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 80V |
Strom - max | 100mA |
Kapazität @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 800 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Verlustleistung (max.) | 250mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | 2-XDFN |
Supplier Device Package | TSLP-2-19 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR9002ELE6327XTMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAR9002ELE6327XTMA1-FT |
BAP63-03,115
NXP USA Inc.
BAP64-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-06W,115
NXP USA Inc.
BAP70-04W,115
NXP USA Inc.
BAP50-05W,115
NXP USA Inc.
BAP51-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,135
NXP USA Inc.
BAP64-06W,115
NXP USA Inc.
XC2V2000-4FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQG208
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7
Intel
10M50SAE144C8G
Intel
EP1AGX90EF1152I6
Intel
XC5VLX155-1FFG1760I
Xilinx Inc.
XC7K70T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC7K480T-L2FFG1156I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ100A
Microsemi Corporation