Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BAR9002ELE6327XTMA1
Herstellerteilenummer | BAR9002ELE6327XTMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAR9002ELE6327XTMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAR9002ELE6327XTMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | PIN - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 80V |
Strom - max | 100mA |
Kapazität @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 800 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Verlustleistung (max.) | 250mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | 2-XDFN |
Supplier Device Package | TSLP-2-19 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR9002ELE6327XTMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAR9002ELE6327XTMA1-FT |
BAP63-03,115
NXP USA Inc.
BAP64-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-06W,115
NXP USA Inc.
BAP70-04W,115
NXP USA Inc.
BAP50-05W,115
NXP USA Inc.
BAP51-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,135
NXP USA Inc.
BAP64-06W,115
NXP USA Inc.
LFE2-12SE-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-L1FGG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LFE2-70E-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F23I8L
Intel
EPF10K50VFC484-1
Intel
5SGXEA7N3F45C2N
Intel
A54SX32A-TQG100I
Microsemi Corporation
EP1C4F324I7N
Intel