Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BAR9002LRHE6327XTSA1
Herstellerteilenummer | BAR9002LRHE6327XTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAR9002LRHE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAR9002LRHE6327XTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | PIN - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 80V |
Strom - max | 100mA |
Kapazität @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 800 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Verlustleistung (max.) | 250mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | SOD-882 |
Supplier Device Package | PG-TSLP-2 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR9002LRHE6327XTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAR9002LRHE6327XTSA1-FT |
BAT18,215
NXP USA Inc.
BAP64-04,215
NXP USA Inc.
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
M7A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10M16DAF256I7G
Intel
5SGXMA7N1F40C1N
Intel
5SGXEA5H2F35I2L
Intel
XC7K410T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel
EP2S130F1020I4N
Intel