Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BAS116E6433HTMA1
Herstellerteilenummer | BAS116E6433HTMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAS116E6433HTMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAS116E6433HTMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 250mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 1.5µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5nA @ 75V |
Kapazität @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS116E6433HTMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAS116E6433HTMA1-FT |
GP2D010A120C
Global Power Technologies Group
RD0106T-TL-H
ON Semiconductor
RD0504T-P-TL-H
ON Semiconductor
RD0504T-TL-H
ON Semiconductor
RD0506T-TL-H
ON Semiconductor
RHRD660S9A_NL
ON Semiconductor
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
RJU60C2SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel