Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BAS170WS-HE3-08
Herstellerteilenummer | BAS170WS-HE3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAS170WS-HE3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS170WS-HE3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 70V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 70mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 70V |
Kapazität @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-76, SOD-323 |
Supplier Device Package | SOD-323 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 125°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS170WS-HE3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAS170WS-HE3-08-FT |
GI814HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI816-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI816HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI817-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI817HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI818-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI818-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI818HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI818HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel