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Herstellerteilenummer | BAS281-GS18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAS281-GS18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS281-GS18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 40V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 30mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200nA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | 1.6pF @ 1V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-80 Variant |
Supplier Device Package | SOD-80 QuadroMELF |
Betriebstemperatur - Übergang | 125°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS281-GS18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAS281-GS18-FT |
VS-EPU3006HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel