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Herstellerteilenummer | BAS286-GS08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAS286-GS08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS286-GS08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 200mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 100mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 40V |
Kapazität @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-80 Variant |
Supplier Device Package | SOD-80 QuadroMELF |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS286-GS08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAS286-GS08-FT |
VS-30EPF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel