Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BAS316-TP
Herstellerteilenummer | BAS316-TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAS316-TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAS316-TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 250mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 75V |
Kapazität @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-76, SOD-323 |
Supplier Device Package | SOD-323 |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS316-TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAS316-TP-FT |
EGF1CHE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1CHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1D-2HE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1D-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1DHE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1DHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1T-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1T-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1THE3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1THE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel