Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BAS321/8F
Herstellerteilenummer | BAS321/8F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAS321/8F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAS321/8F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 250mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-76, SOD-323 |
Supplier Device Package | SOD-323 |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS321/8F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAS321/8F-FT |
PMLL4448,135
Nexperia USA Inc.
BYD17D,115
NXP USA Inc.
BYD17G,115
NXP USA Inc.
BYD17J,115
NXP USA Inc.
BYD17K,135
NXP USA Inc.
BYD37M,115
NXP USA Inc.
BYD77B,115
NXP USA Inc.
BYD77D,115
NXP USA Inc.
PRLL4001,115
NXP USA Inc.
PRLL5817,115
NXP USA Inc.
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel