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Herstellerteilenummer | BAS40-06-HE3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAS40-06-HE3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAS40-06-HE3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 40V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 5ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 30V |
Betriebstemperatur - Übergang | 125°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS40-06-HE3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAS40-06-HE3-08-FT |
VS-MBRB2545CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2545CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2545CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3030CTLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3030CTLTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3030CTLTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3045CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3045CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3045CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel