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Herstellerteilenummer | BAS 40-06 B5003 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAS 40-06 B5003 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAS 40-06 B5003 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 40V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 120mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 100ps |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 30V |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS 40-06 B5003 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAS 40-06 B5003-FT |
MMBD7000LT1HTSA1
Infineon Technologies
BAS7004E6327HTSA1
Infineon Technologies
MMBD7000
ON Semiconductor
BAT6405E6327HTSA1
Infineon Technologies
TBAT54S,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS31
ON Semiconductor
BAT54C-TP
Micro Commercial Co
BAV170E6327HTSA1
Infineon Technologies
DB3X316N0L
Panasonic Electronic Components
MMBD4148SE-TP
Micro Commercial Co
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel