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Herstellerteilenummer | BAS70-06-HE3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAS70-06-HE3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS70-06-HE3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 70V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 5ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 50V |
Betriebstemperatur - Übergang | 125°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS70-06-HE3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAS70-06-HE3-18-FT |
VS-MURB1620CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1620CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB2020CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS30L30CGPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS30L30CGTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS30L30CGTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP30DP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP30JP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel