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Herstellerteilenummer | BAS70-06-V-GS18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAS70-06-V-GS18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAS70-06-V-GS18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 70V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 410mV @ 1mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 5ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 50V |
Betriebstemperatur - Übergang | 125°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS70-06-V-GS18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAS70-06-V-GS18-FT |
VS-MBRB2045CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTGPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTGTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTGTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2080CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTGPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTGTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTGTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC2S150-5PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
5SGXEABN3F45C4N
Intel
XC7K355T-1FF901C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
EP1S40F780C7N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel