Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BAT1502LRHE6327XTSA1
Herstellerteilenummer | BAT1502LRHE6327XTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAT1502LRHE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAT1502LRHE6327XTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 4V |
Strom - max | 110mA |
Kapazität @ Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | - |
Verlustleistung (max.) | 100mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | SOD-882 |
Supplier Device Package | PG-TSLP-2 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT1502LRHE6327XTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAT1502LRHE6327XTSA1-FT |
BAP64-04,215
NXP USA Inc.
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
LFE2-6SE-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA2S150E-6FT256Q
Xilinx Inc.
XC4013E-2BG225I
Xilinx Inc.
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
APA150-PQG208A
Microsemi Corporation
A1415A-VQG100C
Microsemi Corporation
A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
XC4VLX100-10FFG1513C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-2FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB1H4F35C4N
Intel