Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BAT17E6327HTSA1
Herstellerteilenummer | BAT17E6327HTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAT17E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAT17E6327HTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 4V |
Strom - max | 130mA |
Kapazität @ Vr, F | 0.75pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 15 Ohm @ 5mA, 10kHz |
Verlustleistung (max.) | 150mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT17E6327HTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAT17E6327HTSA1-FT |
SMS3923-081LF
Skyworks Solutions Inc.
HSMP-3863-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-3863-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-3863-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-386L-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-386L-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-386L-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-389L-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-389L-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-389L-TR2G
Broadcom Limited
M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
M2GL050-VF400
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
EP4CE115F23I7
Intel
EP2C8F256C6
Intel
EP2AGX125DF25C6N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
AX500-FG676I
Microsemi Corporation
EP1K10QC208-1N
Intel