Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BAT 62-09S E6327
Herstellerteilenummer | BAT 62-09S E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAT 62-09S E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAT 62-09S E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodentyp | Schottky - 2 Independent |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 40V |
Strom - max | 20mA |
Kapazität @ Vr, F | 0.6pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | - |
Verlustleistung (max.) | 100mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT 62-09S E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAT 62-09S E6327-FT |
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
MPF300T-FCVG484E
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7
Intel
5SGXEA5K2F40C2L
Intel
10M04SAU169C8G
Intel
XCKU5P-1FFVD900E
Xilinx Inc.
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E2LG
Intel
10AX115U3F45I2LG
Intel
EP2AGX65DF29C4
Intel