Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BAT 68-08S E6327
Herstellerteilenummer | BAT 68-08S E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAT 68-08S E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAT 68-08S E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - 3 Independent |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 8V |
Strom - max | 130mA |
Kapazität @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 10 Ohm @ 5mA, 10kHz |
Verlustleistung (max.) | 150mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT 68-08S E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAT 68-08S E6327-FT |
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
BAP142LX,315
NXP USA Inc.
LFXP3E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL010T-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40I4N
Intel
5SGXMA7K3F35C2LN
Intel
XC4020XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FB900I
Xilinx Inc.
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
EP2AGX125EF29C6N
Intel