Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BAT 68-08S E6327
Herstellerteilenummer | BAT 68-08S E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAT 68-08S E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAT 68-08S E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - 3 Independent |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 8V |
Strom - max | 130mA |
Kapazität @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 10 Ohm @ 5mA, 10kHz |
Verlustleistung (max.) | 150mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT 68-08S E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAT 68-08S E6327-FT |
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
BAP142LX,315
NXP USA Inc.
XC2V250-5FGG456C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FG484C
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
5SGXEA3K2F35C2LN
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
AGLP060V2-CSG289I
Microsemi Corporation
LFXP15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4N
Intel
EP20K200CB356C7
Intel