Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BAT 68-08S E6327
Herstellerteilenummer | BAT 68-08S E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAT 68-08S E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAT 68-08S E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - 3 Independent |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 8V |
Strom - max | 130mA |
Kapazität @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 10 Ohm @ 5mA, 10kHz |
Verlustleistung (max.) | 150mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT 68-08S E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAT 68-08S E6327-FT |
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
BAP70-05,215
NXP USA Inc.
BAT18,235
NXP USA Inc.
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
BAP142LX,315
NXP USA Inc.
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG484
Microsemi Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
5SGXEA5H2F35C2L
Intel
10AX090H1F34E1SG
Intel
EP20K300EBC652-2X
Intel
EP1C12F324C7N
Intel
5SGSMD4H2F35C2L
Intel